Intel发布闪腾P4800X固态盘
昨天nvme小米笔记本，Intel正式发布nvme小米笔记本了Optane（闪腾） SSD DC P4800Xnvme小米笔记本，用于高端数据中心，首发容量是375GB，PCI-E 3.0 x4扩展卡样式，支持NVMe，售价1520美元（约合人民币1万元），折合4美元/GB。Intel还承诺，Q2会发布U.2样式nvme小米笔记本的375GB容量以及PCIe扩展卡的750GB款式，年底再推出1.5TB。
速度方面，4KB随机读写（队列深度16）分别是550K和500K，延迟非常非常低，总写入极限12. *** B。
这是Intel Optane宣布以来首次出货大容量盘，虽然看起来部分数据并不突出，但这仅仅是之一代。而且Optane另外一大意义是将和内存共享相同的闪存芯片（3D Xpoint Nand），这样对比的话，4美元/GB比如今动辄10美元/GB的内存条可要优秀多了。
高通发布205移动平台
日前，高通宣布将对骁龙品牌定位进行调整，以后不再将骁龙称为“处理器”，而改为“平台”，同时，入门级200系列不再使用“骁龙”品牌，改名为“高通移动”。
今天，在印度新德里，高通移动就发布了首款产品——Qualcomm 205（M *** 8905）。这是高通3年来首次为功能机平台更新芯片，今后，50美元以下的功能手机将获得4G LTE支持。
参数方面，高通移动205平台拥有双核1.1GHz CPU、 Adreno 304 GPU、双卡双待、下载速率更高150Mbps，基带覆盖支持4G到2G。由于是定位最基础的功能机，所以205平台更大支持前后300万像素，480P VGA显示屏（帧率60FPS）。
高通移动205平台今天开始出货，最早一批终端上市日期定在今年Q2季度。
AMD Ryzen发烧版曝光
AMD Ryzen处理器在桌面上最多有8核心16线程，对手更高定位是Intel发烧级次旗舰、同样8核心16线程的Core i7-6900K，等于直接放过了最顶级的10核心20线程Core i7-6950X。只有到了服务器领域，Zen架构才会做得更大，直接做到32核心64线程。
不过，最新消息称，AMD正在秘密研发自己的发烧级桌面平台，通过双Die整合封装的方式(俗称胶水)，将两颗Ryzen 7处理器堆到一起，从而得到16核心32核心，DDR4内存通道也因此翻番为4个，并且可以拥有更充裕的PCI-E通道。
还有爆料称，这种发烧Ryzen将采用新的Socket SP3r2封装接口，热设计功耗大约150W，为此主频不得不做一些牺牲，只有2.4-2.8GHz。
有趣的是，这套平台也会有新的芯片组，命名为X399——而Intel下代发烧平台芯片组叫X299……
小米MIX2概念图曝光
作为去年国产手机中更具创新性、更具代表性的手机，小米MIX已经成为很多米粉的“精神象征”，同时小米MIX二代也让不少米粉充满期待。
此前，雷军曾在微博上透露，已经与国际设计大师菲利普·斯塔克再次见面，他介绍了小米MIX下一代产品的设计理念，接下来双方会不断地探索，如何尽快把这些令人兴奋的创新变成现实的产品。
日前，有网友曝光了小米MIX二代的360度渲染动图，延续了上一代的硬朗设计风格，下巴更靠下，屏占比更加极致（接近100%）。此外，新机还加入了双摄像头，指纹识别依然放在背部。
业内人士潘九堂之前曾表示，小米MIX一代的后置指纹处理得很好，毫无违和，期待下半年二代的变化。
据此前爆料，小米MIX第二代的屏占比预计提升到93%，延续陶瓷机身和骨传导音频技术的同时，换上AMOLED显示屏。
Exynos 8895的三星Galaxy S8性能曝光
距离三星上半年旗舰Galaxy S8/S8 Plus的发布不到10天的时间，尽管今年三星加强了对新机的保密措施，但关于Galaxy S8的信息已经被扒得满天飞，不仅外观、硬件参数泄露，就连配套的定制AKG耳机也被评测一番。现在，Geekbench上已经能获取到Galaxy S8的跑分成绩，目前来看，采用了自家的Exynos 8895的S8性能上似乎好于采用高通骁龙835的S8。
按照三星以往惯例，在Galaxy S8系列智能手机将会搭载两种版本的Socnvme小米笔记本：一个是自家的Samsung Exynos 8895，国际版手机型号为代号为 *** -G955F；另一个则是高通骁龙835，国际版手机型号为代号为 *** -G950U。两个版本都将会搭载4GB内存，但不确定是LPDDR4X或LPDDR4。
三星Exynos 8895 Soc采用领先的10nm LPE制程工艺，由4xM2核心+4x Cortex-A53核心组成8核，GPU更是堆出了Mali-G71 MP20，整合了5x20MHz载波的LTE Cat 16基带。
高通骁龙835处理器的采用4+4核心设计，大核心更高频率2.45GHz，小核心1.9GHz，GPU则是Adreno 540，支持骁龙X16 LTE调制解调器，同样采用三星10nm FinFET制程。
左边三星Exynos 8895，右边高通骁龙835
如果取两者的跑分更好成绩，只看单核的话，Exynos 8895 VS 骁龙835，1978 VS 1916，两者差距不大。而多核成绩的话，则是6375 VS 6011，两者之间的差距扩大了。侧面反映了三星Exynos 8895 Soc性能上要稍微好一些，但高通骁龙835在内存测试项目上有优势。
希捷关闭韩国HDD研发中心
原本风光无限的机械硬盘，被固态硬盘逆袭后，日子越来越难过，这点从希捷接连关闭工厂就能看出来。最新消息显示，希捷已经在上周低调的关闭了韩国京畿道省的R&D研发中心。这是希捷公司2013年才在韩国设立的研发中心，而2011年他们就宣布收购三星硬盘了，这说明希捷在收购之后还是打算在HDD市场大干一场的，所以才在韩国设立研发中心。
希捷韩国研发中心主要针对2.5寸硬盘，但悲剧的是2.5寸HDD硬盘是受SSD硬盘影响更大的一部分，特别是笔记本市场上，SSD适配率逐年升高，2.5寸HDD硬盘举步维艰，市场地位还不如3.5寸硬盘，所以这个研发中心不过4年时间就被希捷优化掉了，裁员300多人。
根据希捷官方资料所说，这次行动预计会在2017财年底完成，预计会产生5000万美元左右的税前费用。
今年1月初，希捷关闭了苏州的工厂，而现在又关闭韩国研发中心，随着机械硬盘市场销量的疯狂下降，想必希捷日后还会做出相类似的调整。